Les transistors sont fabriqués à partir de semi-conducteurs tels que le silicium ou le germanium. Ils sont construits avec trois ou plusieurs terminaux. Ils peuvent être considérés comme des valves électroniques car un petit signal qui est envoyé via un terminal milieu contrôle le flux de courant à travers les autres. Ils fonctionnent principalement comme des commutateurs et amplificateurs.
Transistors bipolaires sont le type le plus populaire. Ils ont trois couches avec une tête attachée à chacun d'eux. La couche intermédiaire est la base, et les deux autres sont appelés l'émetteur et le collecteur.
Informations techniques sur les transistors peuvent être trouvées sur leurs emballages, sur les fiches de données du fabricant, et, dans certains manuels ou des manuels électroniques. Ils contiennent des informations sur les caractéristiques et le fonctionnement transistors. Ceux qui sont les plus importants comprennent le gain, la dissipation et les notes maximales.
Trouver la description généralisée du transistor, qui contient des informations sur la façon dont le transistor peut être utilisé dans un circuit. Sa fonction sera décrite comme celle d'amplification, de commutation ou les deux.
Observer la cote de la dissipation de l'appareil. Ce paramètre indique combien de puissance du transistor peut gérer en toute sécurité sans être endommagé. Transistors sont généralement décrits comme le pouvoir ou petit signal, dépendant de la valeur de cette note. Les transistors de puissance peuvent généralement dissiper une watts ou plus de pouvoir, tandis que les petits signaux dissipent moins d'un watt. La dissipation maximale pour un 2N3904 est de 350 mW (milliwatts), et il est classé comme petit signal.
Étudier le paramètre de gain actuel Hfe. Il est défini comme un gain car un petit signal à la base produit un signal beaucoup plus grande au niveau du collecteur. Hfe a des valeurs minimales et maximales, bien que les deux ne peuvent pas être répertoriés. Le 2N3904 a un minimum Hfe de 100. Comme exemple de son utilisation, examiner la formule actuelle de collecteur Icollector = HfeIbase. Si le courant de base est Ibase 2 mA, la formule indique qu'il ya un minimum de 1002 mA = 200 mA (milliampères) au collecteur. HFE peut être également désigné sous Beta (dc).
Examinez les paramètres pour les tensions de claquage maximales. La tension de claquage est où le transistor cessera de fonctionner ou être détruite si elle est donnée une tension d'entrée de ce montant. Il est recommandé que les transistors ne pas être autorisés à opérer à proximité de ces valeurs, de peur que leur durée de vie raccourcie. Vcb est la tension entre le collecteur et la base. VCEO est la tension entre le collecteur et l'émetteur à la base ouverte, et Veb est la tension de l'émetteur vers la base. La tension de claquage Vcb pour le 2N3904 est répertorié comme 60 V. Les valeurs restantes sont de 40 V pour VCEO, et 6 V pour VEB. Ce sont les montants qui devraient être évitées en fonctionnement réel.
Passez en revue les notes maximales de courant. Ic est le courant maximum le collecteur peut gérer, et pour le 2N3904 cela est répertorié comme 200 mA. Observez que ces évaluations supposent une température idéale qui est spécifiée ou supposé que la température ambiante. Cela est généralement ne dépassant pas 25 degrés Celsius.
Résumer les données. Pour certains transistors 2N3904 à température ambiante avec un courant de collecteur de moins de 200 mA, et où la puissance ne soit pas dépassée, leur gain sera aussi bas que 100 ou aussi haut que 300. transistors plus 2N3904, cependant, aura un gain de 200.